光敏聚酰亚胺光刻胶
光敏聚酰亚胺光刻胶(photosensitive polyimide photoresist (PSPI))
CAS:
化学式:
| 中文名 | 光敏聚酰亚胺光刻胶 |
| 英文名 | photosensitive polyimide photoresist (PSPI) |
| 别名 | 光敏聚酰亚胺光刻胶 |
| 英文别名 | photosensitive polyimide photoresist (PSPI) |
| 物化性质 | 化学性质 具有可溶性，可配制成耐热的光致抗蚀剂，在主链上既含有刚性很大的芳环，又含有可柔曲的醚键，因此具有高的热稳定性和坚韧性。聚酰亚胺具有很多优点，是优良的耐热与感光等多种多样的功能高分子材料。 |
| 上游原料 | 马来酸酐 环己酮 二苯醚 丙烯醇 聚酰胺 |
光敏聚酰亚胺光刻胶 - 生产方法
光敏聚酰亚胺光刻胶是一种常用于半导体制造和微电子器件制备的材料。以下是光敏聚酰亚胺光刻胶的生产方法的简要介绍：
1. 材料准备：准备苯酚类化合物、聚酰亚胺单体、混合溶剂等用于合成的原料。
2. 合成单体：将苯酚类化合物与聚酰亚胺单体按一定比例混合，并加入适量的溶解剂中。反应条件和时间根据具体合成方法而异。
3. 胶体合成：将合成好的单体溶液放入反应器中，并进行聚合反应。聚合反应可以选择热聚合、紫外光聚合或自由基聚合等方法，具体条件取决于所选的反应体系和实际需求。
4. 膜形成：将聚合好的溶液均匀涂布在基板或衬底上，然后在温度和湿度控制下，通过固化、烘烤等步骤形成光敏聚酰亚胺膜。
5. 刻蚀图形：将膜表面暴露在特定波长的紫外光下，使用光刻机制作图形模板。通过光刻胶的敏感性，光刻胶在暴露区域发生化学改变，并形成图案。
6. 刻蚀胶膜：利用刻蚀液溶解掉光刻胶未暴露区域的部分。刻蚀液的选择根据不同的实验需求而定。
1. 材料准备：准备苯酚类化合物、聚酰亚胺单体、混合溶剂等用于合成的原料。
2. 合成单体：将苯酚类化合物与聚酰亚胺单体按一定比例混合，并加入适量的溶解剂中。反应条件和时间根据具体合成方法而异。
3. 胶体合成：将合成好的单体溶液放入反应器中，并进行聚合反应。聚合反应可以选择热聚合、紫外光聚合或自由基聚合等方法，具体条件取决于所选的反应体系和实际需求。
4. 膜形成：将聚合好的溶液均匀涂布在基板或衬底上，然后在温度和湿度控制下，通过固化、烘烤等步骤形成光敏聚酰亚胺膜。
5. 刻蚀图形：将膜表面暴露在特定波长的紫外光下，使用光刻机制作图形模板。通过光刻胶的敏感性，光刻胶在暴露区域发生化学改变，并形成图案。
6. 刻蚀胶膜：利用刻蚀液溶解掉光刻胶未暴露区域的部分。刻蚀液的选择根据不同的实验需求而定。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
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光敏聚酰亚胺光刻胶的上游原料
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光敏聚酰亚胺光刻胶 cis-4-aminomethylcyclohexane-1-carboxylic acid 2-[[(2R)-2,3-dihydroxypropoxy]-hydroxy-phosphoryl]oxyethyl-trimethyl-azanium
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