中文名 | 碲化铋 |
英文名 | BISMUTH TELLURIDE |
别名 | 碲化铋 碲化铋(III) 碲化铋BI(III) 碲化铋N型 碲化铋P型 |
英文别名 | BISMUTH TELLURIDE BISMUTH TELLURIDE, Bismuth(3 ) telluride bismuthsesquitelluride Bismuth telluride, se-doped |
CAS | 1304-82-1 |
EINECS | 215-135-2 |
化学式 | Bi2Te3 |
分子量 | 800.76 |
密度 | 7.642 g/mL at 25 °C(lit.)v |
熔点 | 585 °C(lit.) |
沸点 | 1172 °C |
水溶性 | Insoluble in water. |
存储条件 | Room Temprature |
外观 | 灰色粉末 |
产品用途 | 应用 用于半导体、电子冷冻和发电,碲化铋及其固溶体是研究的最早并且也是研究的最成熟的一种热电材料。 |
MDL号 | MFCD00014201 |
危险品标志 | Xn - 有害物品 |
风险术语 | R20/21/22 - 吸入、皮肤接触及吞食有害。 R36/37/38 - 刺激眼睛、呼吸系统和皮肤。 |
安全术语 | S26 - 不慎与眼睛接触后,请立即用大量清水冲洗并征求医生意见。 S36 - 穿戴适当的防护服。 |
危险品运输编号 | UN 3284 6.1/PG 3 |
摘要:
利用区熔法,机械合金化,放电等离子烧结(SPS)技术,热压法等多种工艺制备了p型碲化铋基热电材料.在300—500K的温度范围内测量了各热电性能参数,包括电导率(σ),塞贝克系数(α)和热导率(κ),研究了制备工艺对热电性能的影响.结果表明,所制备的块体材料与同组成区熔晶体相比,性能优值ZT均有不同程度的提高.其中,利用区熔法结合SPS技术可获得热电性能最佳的块体材料,其ZT值达1.15.
关键词:
DOI:
10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.064
被引量:
年份:
2007
摘要:
研究了冷压银衬底上铋和碲的欠电位沉积薄层电化学行为.分析了最初铋欠电位沉积在碲覆盖的冷压银表面和碲欠电位沉积在铋覆盖的冷压银表面的欠电位转移伏安特性.结果证实,这种转移特性符合欠电位动力学机制.采用一个自动式电化学薄层流沉积系统,通过交替沉积碲元素和铋元素制备了碲化铋薄膜.XRD测试显示,沉积物是B i2Te3.EDX定量分析给出铋与碲的元素化学计量比是2:3,与XRD结果一致.沉积物电子探针显微分析显示一个网格结构,可能与冷压银衬底的表面缺陷及银和B i2Te3的晶格错配有关.
关键词:
DOI:
10.3969/j.issn.1000-0518.2005.11.002
被引量:
年份:
2005
摘要:
本发明涉及一种碲化铋基热电材料的制备方法,其特在于包括:(1)利用区熔法制备碲化铋基定向多晶棒,熔融温度为700-800℃,温度梯度25℃/mm;(2)先将定多晶棒置于氢氟酸溶液中浸泡,取出后用酒精和去离子水清洗,直至表面pH为7;最后在真空中干燥;然后粉碎,过筛;烧结前对粉料进行超声波预处理;(3)在真空或惰性气氛下进行放电等离子快速烧结,烧结温度范围360-510℃,升温速率20-200℃/mm,烧结时间10-60min,压力为20-120MPa.本发明在保证热电转换性能与区熔定向多晶材料相当的基础上,使材料的利用率,可加工性,产品的可靠性得以大大提高,生产成本显著降低,从而具有良好的产业化前景.
关键词:
被引量:
年份:
2004
摘要:
通过改变实验条件,在130~200℃、NaOH溶液浓度为2~8 mol/L的较宽水热条件下合成出单相Bi2Te3粉体。利用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),高分辨透射电镜(HRTEM),能谱色散仪(EDAX),热分析系统(TG-DTA)对产物的物相组成,形貌特征和晶体结构,热稳定性进行了研究。结果表明当不添加表面活性剂时,在一定反应温度下,NaOH溶液浓度不仅是合成纯Bi2Te3粉体的重要因素,而且影响所得Bi2Te3粉体的晶体形貌和晶粒尺寸。当NaOH溶液浓度较低、反应温度较高时,以原子结合方式生成Bi2Te3,反之,以离子结合方式生成Bi2Te3。一般形成机理的提出对今后采用水热法或溶剂热法合成碲化物有一定帮助,而热稳定性的研究对实验结果提出新的要求。
展开
关键词:
DOI:
CNKI:SUN:RGJT.0.2012-06-026
被引量:
年份:
2012
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