碲化锑
碲化锑(ANTIMONY (III) TELLURIDE)
CAS: 1327-50-0
化学式: S2Te3
| 中文名 | 碲化锑 |
| 英文名 | ANTIMONY (III) TELLURIDE |
| 别名 | 碲化锑 碲化锑(III) 碲化锑SB2TE3 碲化锑TI(III) 碲化锑(III),痕量分析 |
| 英文别名 | ANTIMONY (III) TELLURIDE Antimony sesquitelluride Antimony(III) telluride beads, |
| CAS | 1327-50-0 |
| EINECS | 215-480-9 |
| 化学式 | S2Te3 |
| 分子量 | 626.32 |
| 密度 | 6.5 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 熔点 | 629°C |
| 沸点 | 1173.8 °C |
| 水溶性 | Insoluble in water. |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 外观 | 灰色粉末 |
| 产品用途 | 概述 碲化锑化学式Sb2Te3。分子量626.30。灰色固体。熔点639℃，相对密度6.5018。溶于硝酸。由氯化锑(Ⅲ)的酸性溶液中通入碲化氢或将元素碲和锑混合物加热而制得。 |
| MDL号 | MFCD00016320 |
| 危险品标志 | Xn - 有害物品 N - 危害环境的物品  |
| 风险术语 | R20/22 - 吸入及吞食有害。 R51/53 - 对水生生物有毒，可能对水体环境产生长期不良影响。 |
| 安全术语 | 61 - 避免释放至环境中。参考特别说明/安全数据说明书。 |
| 危险品运输编号 | UN 1549 6.1/PG 3 |
碲化锑 - 碲化锑基纳米薄膜的制备及其热电性能研究
来自 知网
作者：
摘要：
热电材料是实现热能和电能直接转换的材料,在温差发电、热电制冷等领域具有重要的应用价值和广泛的应用前景。Sb_2Te_3基化合物是室温下性能最好的热电材料之一,经过几十年的研究,室温下块体Sb_2Te_3基材料的热电优值一直徘徊在1左右。随着纳米技术的发展,将热电材料纳米化可增加对载流子和声子的散射,使材料热导率的降低比电导率降低的更为显著,有利于提高材料的热电性能。本文采用磁控溅射制备了Sb_2Te_3基纳米热电薄膜,用XRD、SEM、EDS等技术对制备的薄膜进行了形貌结构表征,系统的研究了薄膜的热电性能。 本文首先采用射频磁控溅射技术制备了Sb_2Te_3薄膜,探索了磁控溅射工艺,如靶材溅射功率、沉积时间,对薄膜形貌结构和热电性能的影响。研究发现,Sb_2Te_3薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎呈线性增加。随着射频溅射功率的增大,Sb_2Te_3薄膜的电阻率逐渐降低而塞贝克系数先增加再降低。随着溅射时间的增加,薄膜的电阻率逐渐降低而塞贝克系数变化并不明显。利用射频磁控溅射室温下沉积的Sb_2Te_3薄膜性能较差。经过退火处理,薄膜晶粒尺寸长大,结晶度增强,且以(1010)晶面择优生长。Sb_2Te_3薄膜的载流子浓度随退火温度的增加逐渐降低而迁移率逐渐增加。进一步分析可知,薄膜中载流子平均自由程也随着退火温度的增加而逐渐增加,但仍小于薄膜的晶粒尺寸。经过优化退火条件,薄膜的功率因子从室温下的2.5μW/cm·K-2增加到18.09μW/cm·K-2,热电性能得到显著提高。 在材料内部掺杂纳米级粒子可增加载流子和声子的散射,在不显著增加材料电阻率的前提下可显著提高材料的塞贝克系数,降低热导率,因此三元合金具有更高的热电性能。本文采用射频磁控共溅射制备了Bi-Sb-Te合金薄膜。研究表明,室温下沉积的合金薄膜经过退火处理后,各原子之间相互扩散凝结形成Bi-Sb-Te合金薄膜。当退火温度为250℃时,合金薄膜沿(00l)方向择优生长形成层状结构。经过退火处理,合金薄膜的载流子浓度降低而迁移率增加,薄膜的电阻率降低而塞贝克系数增加。与Sb_2Te_3薄膜相比,采用共溅射在室温下制备的合金薄膜热电性能较差。退火处理后,合金薄膜的载流子平均自由程较Sb_2Te_3薄膜的有所减小,同时合金薄膜电阻率有所增加,但合金薄膜的塞贝克系数较Sb_2Te_3薄膜的则显著提高。当退火温度为300℃时,Bi-Sb-Te合金薄膜的功率因子为22.54μW/cm·K-2。可见,掺杂适量Bi纳米颗粒的合金薄膜相对于Sb_2Te_3薄膜具有较好的热电性能以及热稳定性。 基片温度对Bi-Sb-Te合金薄膜的形貌结构影响显著。基片温度为150℃时,薄膜形成以(1010)相为主的合金薄膜。与室温下沉积的Bi-Sb-Te合金薄膜相比,基片加热的合金薄膜粗糙度增加,具有较低的电阻率和较高的塞贝克系数。当退火温度为300℃时,基片温度为150℃的合金薄膜的功率因子有最大值25.32μW/cm·K-2。可见,适当的基片温度可改善薄膜的热电性能。
收起
关键词：
学位级别：
硕士
DOI：
CNKI:CDMD:2.1014.008038
被引量：
最后更新：2024-01-02 23:10:35
碲化锑 - 基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器及其制备方法
来自 掌桥科研
申请(专利)号：
CN201911011670.2
申请日期：
2019-10-23
公开/公告号：
CN110729365A
公开/公告日期：
2020.01.24
申请(专利权)人：
昆明物理研究所
发明人：
国省代号：
CN530102
摘要：
基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器及其制备方法,涉及光电技术领域,尤其涉及一种基于拓扑绝缘体材料Sb
最后更新：2023-08-16 22:05:47
碲化锑 - 原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化
来自 知网
作者：
摘要：
Sb_2Te_3是一种基础的功能材料,在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料.其中下一代基于 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)技术的电脉冲致相变随机存储器需要在 GeTe-Sb_2Te_3体系的背景下寻找更合适的材料.电脉冲和高速运动的电子在材料中有近似的作用
关键词：
会议名称：
2006年全国电子显微学会议
会议时间：
2006-08-26
最后更新：2023-08-16 22:05:47
碲化锑 - 一种钪掺杂碲化锑相变材料的水热制备方法
来自 掌桥科研
申请(专利)号：
CN201810392777.5
申请日期：
2018-04-27
公开/公告号：
CN108502851B
公开/公告日期：
2019.03.12
申请(专利权)人：
北京航空航天大学
发明人：
国省代号：
CN110108
摘要：
本发明提供了一种钪掺杂碲化锑相变材料的水热制备方法.本发明中钪掺杂碲化锑相变材料Sc
最后更新：2023-08-16 22:05:47
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