二氧化钒
二氧化钒(VANADIUM(IV) OXIDE)
CAS: 12036-21-4
化学式: VO2
| 中文名 | 二氧化钒 |
| 英文名 | VANADIUM(IV) OXIDE |
| 别名 | 二氧化钒 四氧化二钒 氧化钒(IV) 氧化钒(IV), 金红石相二氧化钒 钨掺杂纳米二氧化钒 纯纳米二氧化钒VO2 纳米氧化钒分散液氧化钒液体 |
| 英文别名 | VO2 BASIS) (METALS VANADIUM OXIDE vanadiumoxide(vo2) VANADIUM(IV) OXIDE VANADIUM TETRAOXIDE Vanadium oxide (VO2) |
| CAS | 12036-21-4 |
| EINECS | 234-841-1 |
| 化学式 | VO2 |
| 分子量 | 82.94 |
| 密度 | 4.339 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 熔点 | 1967°C |
| 水溶性 | Insoluble in water. |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 物化性质 | 黑色至暗蓝色四方晶体，金红石 晶型。常温下在空气中稳定。相对密度4.339，熔点1967℃。吸湿，不溶于水， 溶于酸、碱。 |
| 产品用途 | 化学式VO2。分子量82.94。深蓝色粉末状晶体。比重4.339。熔点1967℃。易燃。属氯化钠构型。不溶于水，可溶于酸、碱。具有两性：溶于酸生成四价的钒酰离子(VO2+);溶于碱生成次钒酸盐(M2V4O9和M2V2O5)。化学性质不太稳定。在空气中缓慢氧化，与硝酸作用生成五氧化二钒。由等摩尔比的五氧化二钒和三氧化二钒隔绝空气加热或五氧化二钒加热熔化后与草酸、碳、磷、二氧化硫作用制得。二氧化钒主要用作高温催化剂。 |
| MDL号 | MFCD00049702 |
| 危险品标志 | Xi - 刺激性物品 |
| 风险术语 | 36/38 - 刺激眼睛和皮肤。 |
| 安全术语 | S26 - 不慎与眼睛接触后，请立即用大量清水冲洗并征求医生意见。 S37/39 - 戴适当的手套和护目镜或面具。 |
| 危险品运输编号 | UN3285 |
二氧化钒 - 水热法制备具有智能节能性能的二氧化钒的方法
来自 掌桥科研
申请(专利)号：
CN 200910238799
申请日期：
2009年11月25日
公开/公告号：
CN 101700909 B
申请(专利权)人：
中国科学技术大学
发明人：
国省代号：
安徽
被引量：
摘要：
一种采用水热法制备二氧化钒的方法,包括:向装有适量钒源水溶液的水热釜中加入氧化,还原,或酸碱调节剂,然后将所述水热釜至于40℃-300℃的烘箱内保温30分钟-5天,反应完全后,离心收集得到二氧化钒.本发明所提供的制备方法工艺简单,成本低,产率高,且能大批量生产,所得的具有智能节能性能的二氧化钒纳米粉体纯度好.进一步地,本发明通过在钒源水溶液中添加适量的含钨,含钼,含锰,含铬或含钛的化合物而得到二氧化钒掺杂纳米粉体,以适应更广泛的工业用途.通过控制钒源种类与氧化,还原,或酸碱调节剂的量,可以实现二氧化钒纳米粉体不同形貌的控制.
主权项：
水热法制备具有智能节能性能的二氧化钒的方法,其特征在于：向装有钒源水溶液的水热釜中加入氧化、还原、或酸碱调节剂,所述钒源在水溶液中的浓度为0.001mol/L以上,所述钒源包括偏钒酸氨、原钒酸钠、五氧化二钒、偏钒酸钾、三氯氧钒、四氯化钒、硫酸氧钒、乙酰丙酮氧钒配合物、邻香草醛氧钒配合物、三氯化钒、V2S5、VS2、VOOH、V(OH)2·NH2、V2O3、乙酰丙酮钒配合物及它们的组合,所述氧化、还原、或酸碱调节剂包括氧化性酸碱、还原性酸碱、非氧化、还原性酸碱、或具有氧化、还原性的其他物质及它们的组合；然后将所述水热釜至于40℃-300℃的烘箱内保温30分钟-5天,反应完全后,离心收集得到二氧化钒。
最后更新：2024-01-02 23:10:35
二氧化钒 - 二氧化钒薄膜在激光防护上的应用研究
来自 维普网
作者：
摘要：
战场上激光武器的不断发展对激光防护提出了更高的要求.由于VO2薄膜的相变温度接近室温,具有良好的光电性能,成为相变材料中最有希望用于红外探测器的激光防护材料.介绍了VO2薄膜的光电特性,并探讨了其在激光防护应用方面的相关问题以及发展前景.
关键词：
DOI：
10.3969/j.issn.1007-2276.2005.05.006
被引量：
年份：
2005
最后更新：2023-08-16 22:05:47
二氧化钒 - 二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究
来自 维普期刊专业版
作者：
摘要：
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率,电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100-300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanical systems,简称为MEMS)工艺有很好的兼容性.
关键词：
DOI：
10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.032
被引量：
年份：
2006
最后更新：2023-08-16 22:05:47
二氧化钒 - 二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析
来自 万方
作者：
摘要：
VO2是一种固态热致变色材料,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态,而且相变可逆.由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化,这使得它成为一种有前景的电/光转换、光存储、激光保护和智能窗材料.本文综述VO2膜的制取方法及相变机理的研究进展.
关键词：
被引量：
年份：
2001
最后更新：2023-08-16 22:05:47
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