中文名 | 碲化镓 |
英文名 | GaTe |
别名 | 碲化镓 一碲化镓 碲化镓GATE 碲化镓(II) 碲化镓(II), 痕量分析 |
英文别名 | GaTe GALLIUM TELLURIDE Galliummono TELLURIDE GALLIUM(II) TELLURIDE Gallium monotelluride galliumtelluride(gate) gallium TELLURIDE(gate) Gallium(II) telluride lump Gallium(II) TELLURIDE lump Gallium(II) TELLURIDE(GaTe) Gallium(II) telluride (GaTe) |
CAS | 12024-14-5 |
EINECS | 234-690-1 |
化学式 | GaH2Te |
分子量 | 199.34 |
密度 | 5.440 |
熔点 | 824°C |
水溶性 | Insoluble in water. |
存储条件 | Room Temprature |
敏感性 | Moisture Sensitive |
外观 | 单斜晶体 |
暴露限值 | ACGIH: TWA 0.1 mg/m3NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3 |
物化性质 | monoclinic crystals |
MDL号 | MFCD00135536 |
危险品标志 | Xn - 有害物品 |
风险术语 | R22 - 吞食有害。 R36/37/38 - 刺激眼睛、呼吸系统和皮肤。 |
安全术语 | S22 - 切勿吸入粉尘。 S24/25 - 避免与皮肤和眼睛接触。 |
TSCA | Yes |
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