锑化铟
锑化铟(Indium Antimonide)
CAS: 1312-41-0
化学式: InSb
| 中文名 | 锑化铟 |
| 英文名 | Indium Antimonide |
| 别名 | 锑化铟 锑化铟晶片 锑化铟单晶 锑化铟INSB |
| 英文别名 | indium stibide Indium Antimonide INDIUM ANTIMONIDE Indium(III) antimonide Indiumantimonideblackxtl |
| CAS | 1312-41-0 |
| EINECS | 215-192-3 |
| 化学式 | InSb |
| 分子量 | 236.58 |
| 密度 | 5,76 g/cm3 |
| 熔点 | 535°C |
| 水溶性 | Insoluble in water. |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 外观 | 水晶 |
| 比重 | 5.76 |
| 颜色 | black |
| Merck | 14,4948 |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3 |
| MDL号 | MFCD00016146 |
| 危险品标志 | Xn - 有害物品 N - 危害环境的物品  |
| 风险术语 | R20/22 - 吸入及吞食有害。 R51/53 - 对水生生物有毒，可能对水体环境产生长期不良影响。 |
| 安全术语 | 61 - 避免释放至环境中。参考特别说明/安全数据说明书。 |
| 危险品运输编号 | UN 1549 6.1/PG 3 |
| WGK Germany | 2 |
| RTECS | NL1105000 |
| TSCA | Yes |
| Hazard Class | 6.1 |
| Packing Group | III |
锑化铟 - 简介
锑化铟（Indium antimonide）是一种二元化合物，由铟（In）和锑（Sb）元素组成。以下是关于锑化铟的性质、用途、制法和安全信息的详细介绍：
性质：
锑化铟是一种黑色固体，具有金属反射率和半导体的电学性质。
它具有较高的导电性和热导性，并且在低温下表现出电阻远远低于传统的半导体材料。
锑化铟的能隙较小，在接近室温时就可呈现出显著的半导体特性。
用途：
锑化铟在半导体器件中具有广泛的应用，如高速电子器件、红外探测器、光电测量设备等。
其高电阻率和低热电阻，锑化铟也被用于制造高温热电材料和热电偶。
锑化铟的高载流子迁移率使其在微电子行业中具有潜在的应用前景，可用于制造高效率的输运器件。
制法：
锑化铟的制备可通过气相外延（VPE）、分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等化学气相沉积方法进行。
安全信息：
锑化铟在常温下对人体和环境无明显的危害。
其高导电性和热导性，使用时需注意防止电流和热量过大的积累。
在处理和制备锑化铟时，需要遵循一般化学实验室的操作规范和安全措施，如佩戴防护眼镜和手套等。
性质：
锑化铟是一种黑色固体，具有金属反射率和半导体的电学性质。
它具有较高的导电性和热导性，并且在低温下表现出电阻远远低于传统的半导体材料。
锑化铟的能隙较小，在接近室温时就可呈现出显著的半导体特性。
用途：
锑化铟在半导体器件中具有广泛的应用，如高速电子器件、红外探测器、光电测量设备等。
其高电阻率和低热电阻，锑化铟也被用于制造高温热电材料和热电偶。
锑化铟的高载流子迁移率使其在微电子行业中具有潜在的应用前景，可用于制造高效率的输运器件。
制法：
锑化铟的制备可通过气相外延（VPE）、分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等化学气相沉积方法进行。
安全信息：
锑化铟在常温下对人体和环境无明显的危害。
其高导电性和热导性，使用时需注意防止电流和热量过大的积累。
在处理和制备锑化铟时，需要遵循一般化学实验室的操作规范和安全措施，如佩戴防护眼镜和手套等。
最后更新：2024-04-09 21:04:16
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